İleriye dönük:Japon bellek üreticisi Kioxia, SSD yoğunluklarını aşırı hızlandırabilecek bazı cesaret verici haberlere sahip. Seul’deki Uluslararası Bellek Teknolojisi Çalıştayı’nda şirket, 2027’ye kadar 1.000 katmanlı 3D NAND flaşa ulaşmak için iddialı bir yol haritası ortaya koydu. Ancak oraya ulaşmak kolay bir iş olmayacak.
Japon çıkışlı PC Watch’ta yer alan Kioxia’nın öngörüleri, geçmiş trendlerden yola çıkarak mevcut NAND hücre teknolojisini geliştiriyor. Şirket, bundan sadece üç yıl sonra NAND kalıp yoğunluğunun 1.000 bellek hücresi katmanıyla 100 Gbit/mm²’ye ulaşmasını bekliyor. Bunu başarmak için artış oranının yılda 1,33 oranında tutulması gerekiyor.
3D NAND katman sayıları gerçekten de hızlı bir şekilde arttı; 2014’te yalnızca 24 katmandan 2022’de 238 katmana çıktı; bu, on yıldan kısa bir sürede on kat artış anlamına geliyor. Geçen yıl SK Hynix, 321 katmanlı 1 Tb TLC 4D NAND yongalarının bir örneğini bile sergiledi.
Ancak katman sayılarını dört basamaklı ölçeklendirmek kolay bir iş değil. Depolama haber sitesi Blocks & Files’a göre 3D NAND ile daha yüksek yoğunluklara ulaşmak yalnızca çipe daha fazla katman eklemekle ilgili değil. Her katman, bellek hücreleri arasındaki bağlantıları mümkün kılmak için açıkta kalan bir kenara ihtiyaç duyar, bu da merdiven benzeri bir kalıp profiliyle sonuçlanır. Bu nedenle, katman sayısı arttıkça merdiven yapısı tarafından tüketilen alan önemli ölçüde artmakta ve yoğunluk kazanımlarının bir kısmı dengelenmektedir.
Bunu telafi etmek için bellek üreticilerinin, QLC NAND’a geçiş sırasında NAND hücrelerini hem dikey hem de yanal olarak küçültmeleri ve günümüzün TLC teknolojisiyle karşılaştırıldığında hücre başına 4 bit paketlemeleri gerekiyor. Katmanlar arttıkça kanal direnci ve sinyal gürültüsü de büyüyen sıkıntılara dönüşüyor.
Kioxia’nın bu teknik engellere yönelik makul çözümleri olsa da, bu kadar agresif bir hamlenin ekonomisi ve finansal sürdürülebilirliği konusunda belirsiz bir soru var.
Kioxia’nın üretim ortağı Western Digital’in, şişen NAND fabrika maliyetlerinin gelir büyümesini geride bırakması konusunda endişelerini dile getirdiği bildirildi. İki şirket, 218 katmanlı BiCS 8 teknolojilerini duyurdu ve 400’den fazla katmana kadar BiCS 9 ve 10’u görüştü. Ancak, 1.000 katmanlı bir düğüm, WD’nin yoğun fabrika yatırımlarına olan iştahını test edebilecek iddialı bir uzun vadeli hedef gibi görünüyor.
Kioxia’nın hayallerindeki bellek yoğunluğuna ulaşmak için kat edeceği mesafe henüz belli değil. Üretici şu anda Samsung ile yarış halinde ve bu da 1.000 katmanlı ödülü kazançlı bir hedef haline getiriyor. Gelecekteki NAND ölçekleme düğümlerinin hızı ve zamanlaması konusunda Western Digital ile zorlu müzakereler muhtemelen önümüzde.